Transistor MOSFET, IRLB8743PBF, N-Canal, 150 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB Ver más grande

Transistor MOSFET, IRLB8743PBF, N-Canal, 150 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB

725-9325

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MOSFET de potencia de canal N de más de 100 A, International Rectifier

La gama de MOSFET de potencia discretos HEXFET® de International Rectifier incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos.

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Especeificaciones

Altura 9.02mm
Ancho 4.83mm
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 5.110 pF V a 15
Carga Típica de Puerta @ Vgs 36 nC V a 4,5
Categoría MOSFET de potencia
Configuración Único
Conteo de Pines 3
Corriente Máxima Continua de Drenaje 150 A
Dimensiones 10.67 x 4.83 x 9.02mm
Disipación de Potencia Máxima 140 W
Longitud 10.67mm
Modo de Canal Mejora
Número de Elementos por Chip 1
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 0,003 Ω
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 25 ns
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 23 ns
Tipo de Canal No
Tipo de Encapsulado TO-220AB
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante

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